隨著科學技術的發展，傳統氧化物原料無法滿足制造一些特殊材料的要求，因為其優良的性能，廣泛用于化工、冶金、能源、機械、建材等領域。針對SiC含量的檢測，使用碳硫分析儀檢測是一個有效的方法。
傳統方法，使用吸收重量法和氫氟酸處理分光光度計比色法，目前，高頻紅外碳硫分析儀無論從分析速度和精度還是準確度上都有了很大的提高，使用紅外碳硫分析儀檢測SiC含量，滿足了企業生產需求，也滿足樂國家實驗室能力認可的要求。
檢測方法
在電子天平上稱取試樣，輸入計算機，樣品在850℃的馬弗爐中燒至恒重，冷卻，然后加入助熔劑，被測樣品在富氧條件下由高頻爐高溫加熱燃燒使SiC中的C分解氧化成CO氣體，該氣體在載氣的帶動下經過氣路系統進入相應的紅外吸收池，對相應的紅外輻射進行吸收再由探測器轉化成對應的信號。此信號由計算機采集，經線性校正后轉換成與CO成正比的數值，除以質量值，乘以用標準物質校準的校正系數，減去空白，可獲得SiC中碳的百分含量，然后用該值再乘以轉換系數3.338，即可得到SiC的百分含量。
SiC在半導體行業中的應用
碳硫分析儀檢測耐火材料中的SiC含量
碳化硅主要有四大應用領域，即：功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應，不能算高新技術產品，而技術含量極高的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規模經濟。
⑴ 作為磨料，可用來做磨具，如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。
⑵ 作為冶金脫氧劑和耐高溫材料。
⑶ 高純度的單晶，可用于制造半導體、制造碳化硅纖維。
主要用途：用于3-12英寸單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等線切割。太陽能光伏產業、半導體產業、壓電晶體產業工程性加工材料。
用于半導體、避雷針、電路元件、高溫應用、紫外光偵檢器、結構材料、天文、碟剎、離合器、柴油微粒濾清器、細絲高溫計、陶瓷薄膜、裁切工具、加熱元件、核燃料、珠寶、鋼、護具、觸媒擔體等領域。
使用碳硫分析儀對SiC的含量進行分析，這對企業的生產是非常重要的。